Травление п/п ИМС

НТУУ “КПИ” РТФ


Доклад

тема: “Травление п/п ИМС”


Выполнил:

студент 2-го курса

группы РТ-22

Кираль С. О.


Kиев 2004

Введение

Одним из определяющих технологических процессов в микроэлектронике в течение более 40 лет продолжает оставаться литография. Литография или микролитография, а сейчас может быть уместно, говорить о нанолитографии, предназначена для создания топологического рисунка на поверхности монокристаллической кремниевой пластины. Базовый литографический процесс представлен на рис. 1 и включает в себя, по крайней мере, 10 ступеней. Темой нашей лекции будут только два этапа, связанные с непосредственным переносом изображения маски на поверхность полупроводниковой структуры (ступени 8 и 9).

1. подготовка поверхности (промывка и сушка)
2. нанесение резиста (тонкая пленка полимера наносится ценрифугированием)
3. сушка (удаление растворителя и перевод резиста в твердую растворимую фазу)
4. совмещение фотошаблона и экспонирование (положительный резист под действием света переходит в нерастворимую фазу)
5. проявление резиста (промывка в растворителе, удаляющем неэкспонированный резист)
6. стабилизирующий отжиг (удаление остатков растворителя)
7. контроль и исправление дефектов
8. травление (непосредственный перенос рисунка маски на поверхность полупроводниковой структуры)
9. удаление фоторезиста
10. финишный контроль

Рис. 1 10 ступеней литографического процесса

Актуально: